單晶銅行業前景

集成電路時信息產品的發展基礎，信息產品是集成電路的應用和發展的動力。伴隨著集成電路制造業和封裝業的興起，必然將帶動相關產業，特別是上游基礎產業的蓬勃發展。作為半導體封裝的四大基礎材料之一的鍵合金絲，多年來雖然是芯片與框架之間的內引線，是集成電路封裝的專用材料，但是隨著微電子工業的蓬勃發展，集成電路電子封裝業正快速的向體積小，高性能，高密集，多芯片方向推進，從而對集成電路封裝引線材料的要求特細（¢0.016mm），而超細的鍵合金絲在鍵合工藝中已不能勝任窄間距、長距離鍵合技術指標的要求。在超細間距球形鍵合工藝中，由于封裝引腳數的增多，引腳間距的減小，超細的鍵合金絲在鍵合過程中常常造成鍵合引線的擺動、鍵合斷裂和踏絲現象；對器件包封密度的強度也越來越差；成弧能力的穩定性也隨之下降，從而加大了操作難度。另外，近幾年來，黃金市值一路飚升，十年時間黃金價格增長了200%多，給使用鍵合金絲的廠家，增加了沉重的原材料成本，同事也加大了生產及流動成本，生產廠商的毛利潤由20%降到了6%，從而導致了資金周轉緩慢，制約了整個行業的技術提升及規模發展。由此表明，傳統的鍵合金絲根據自身的特點已經達到了其能力極限，再也不能滿足細線徑、高強度、低弧度、長弧形、并保持良好導電性的要求。因此，隨著半導體集成電路和分立器件產業的發展，鍵合金絲無論從質量上、數量上和成本上都不能滿足國內市場的發展要求。特別是低弧度超細金絲，大部份主要依賴于進口，占總進口量的45%以上。所以國家在新的五年計劃期間，提出把提高新型電子器件創新技術和工藝研發水平納入國家專項實施重點規劃項目來抓，大力開發高科技、高尖端、節能降耗、綠色環保型半導體集成電路封裝新材料。

隨著電子信息時代的飛速發展，其應用基礎與核心的大規模集成電路、超大集成電路和甚大規模集成電路的特征間距尺寸已走過了0.18µm、0.13µm、0.10µm 的路程，直至當今的0.07µm生產水平。其集成度也達到數千萬只晶體管至數億只晶體管，布線層數由幾層發展至10層，布線總長度可高達1.4Km。這樣一來，硅芯片上原由鋁布線實現多層互連，由于鋁的高電阻率制約，顯然難以得到發揮。所以在芯片特征間距尺寸達到0.18µm或更小時，根據研究我們采用了電阻率低、電氣性能和機械性能俱佳，以及價格低廉的單晶銅絲進行了多次的鍵合試驗，結果解決了多層布線多年要解決的難題。同樣情況，由于芯片輸入已高達數千輸入引腳的大量增加，使原來的金、鋁鍵合絲的數量及長度也大大增加，致使引線電感、電阻很高，從而也難以適應高頻高速性能的要求，在這種情況下，我們同樣采取了性價比都優于金絲的單晶銅（ф0.018mm）進行了引線鍵合，值得可賀的是鍵合后結果取得了預想不到的成功。從此改變了傳統鍵合金絲的市場壟斷，實現了單晶銅絲鍵合引線在中國集成電路微電子封裝產業系統中的應用未來發展前景十分廣闊。同時也填補了中國在這一領域的空白，節省貨幣金屬黃金消耗，增加了中國黃金戰略儲備具有一定重大的意義。

美、日、歐等發達國家，經過對單晶銅布線及其引線鍵合的多年研發工藝，技術已日漸成熟，近幾年少數高校及科研院所（如哈工大）和該公司一樣未雨綢繆，開展了對單晶銅引線可靠性的探索和研究，并取得了可喜的成果。

近幾年來，根據國內外集成電路封裝業大踏步的快速發展，該公司緊跟這一發展趨勢，在全國率先研發生產出單晶銅鍵合絲，其直徑規格最小為ф0.016mm，可達到或超過傳統鍵合金絲引線ф0.025mm和緝拿和硅鋁絲ф0.040mm質量水平。為促進技術成果盡快向產業化轉移，促進生產力的發展，為此，我們一直期待著能早日為集成電路封裝業高尖端技術的應用做出應有的貢獻。

特別令我們高興的是，這種期待與渴望，在“2007年中國半導體封裝測試技術與市場研討會”上，我們公司的單晶銅鍵合引線新產品被行業協會的專家“發現”，并立即得到大會主席及封裝分會理事長畢克允教授的充分肯定和支持。從此我們將在分會的領導下，將這一新興的單晶銅鍵合絲新產品盡早做強做大，走在全國的前列并瞄準國際市場，以滿足即將到來的單晶銅鍵合引線的大量需求。

為此，我們起草了“高技術、高附加值、國家重點推廣項目——IC封裝單晶銅鍵合引線項目分析書”，幫助相關投資者對該項目進行實地市場了解、分析，并給予投資者一定的風險解析。